机构预测DRAM晶圆产能五年增41%！月均达294万片

【CNMO科技消息】近日，全球半导体协会SEMI在美国旧金山莫斯康中心举行“SEMI市场研讨会”，发布全球存储芯片产能预测数据，预计全球DRAM生产产能到2030年将较2025年增长41%。

DRAM

SEMI预计，全球DRAM晶圆产能（以晶圆换算）将从2025年的月均208万片增长至2030年的294万片，五年间月产能增加86万片，年均复合增长率约为7.1%。

从制程结构来看，产能增长高度集中于15nm及以下的先进DRAM。2025年先进DRAM月产能为145万片，预计到2030年将增至245万片，月产能增加100万片，年均复合增长率达11.1%。届时，先进DRAM将占据全球DRAM总产能的约83%。相比之下，16nm及以上的成熟DRAM产能将从月均63.4万片缩减至49.2万片，五年间减少14.2万片。

NAND Flash方面，SEMI预计全球NAND产能将从2025年的月均167万片增长至2030年的202万片，五年间月产能增加35万片，年均复合增长率约为4%。产品结构将发生显著变化：2025年几乎未量产的400层以上NAND产品，预计到2030年将占据整体NAND产能的约82%，600层产品也有望在此期间面世。

SEMI市场情报高级总监Clark Tseng表示，高带宽存储器（HBM）的生产相比普通DRAM需要更多先进晶圆和后处理资源，成熟DRAM产能正在缩减或转作他用。因此，即便整体产能有所增长，先进DRAM与成熟DRAM仍可能同时出现供应短缺。

Tseng还指出，随着堆叠层数增加，高堆叠NAND的刻蚀与沉积工艺复杂度提升，应力控制和良率保障难度加大，HBM的堆叠方式与制造难度也在持续上升，设备和材料需求的增速可能超过产能本身的增长。